温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种高速GaN功率器件及其制备方法，涉及器件制备领域；在衬底上由底至顶依次生长缓冲层和AlGaN层；AlGaN层的顶部生长间隔分布的P
...
该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。