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通过形成第１垫５５，系垫５９等导电膜的板状体５０或经第１垫５５，系垫５９等导电膜形成半刻蚀的板状体５０，可以利用半导体厂的后工序制造混合ＩＣ。而且因为可以不采用支撑底板制造，所以作为混合ＩＣ，可以制造薄型，散热性优良的混合ＩＣ。...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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