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一种薄膜沉积方法技术
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文档序号:37314211
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本申请涉及一种薄膜沉积方法。在本申请的一个实施例中,薄膜沉积方法包括:将前驱体从前驱体源注入工艺腔;以及将来自反应体源的反应体提供至所述工艺腔并向所述工艺腔施加等离子体以沉积薄膜,其中,在前驱体注入步骤和/或施加等离子体步骤中,将所述反应体...
该专利属于拓荆科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过拓荆科技股份有限公司授权不得商用。
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