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本发明提供一种低漏电晶体管结构及其制作方法，包括衬底和设置于衬底上的外延层，所述外延层内设置有基区，所述基区内部设置有发射区，发射区周围且位于基区上部区域，以及外延层靠近基区的顶部区域设置有浓基区；所述浓基区和基区共同构成的边界为阶梯状结构...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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