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本发明涉及一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：（1）含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔；（2）热处理完成后，内腔表面涂覆含硅浆料，烘干固化，得到含硅涂层；（3）真空环境下加热石墨坩埚，冷却后，得到所述碳化硅石墨复...
该专利属于青禾晶元（天津）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青禾晶元（天津）半导体材料有限公司授权不得商用。

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