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本发明提供了一种双光栅半导体激光器，包括分布反射镜区和分布反馈区。其中，分布反射镜区包括：第一N电极，形成于第一衬底的下表面；第一衬底；第一量子阱材料层，形成于第一衬底的上表面；第一光栅，形成于第一量子阱材料层之上；第一包层材料，形成于第一...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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