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本公开所涉及的半导体装置具备：栅极电极(8)，设置于栅极沟槽(6)内，以相对源极区域(4)隔着栅极绝缘膜(7)对置的方式设置；第2导电类型的第1底部保护区域(15)，设置于栅极绝缘膜(7)的下方；第2导电类型的第1连接区域(17)，在栅极沟...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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