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本发明公开一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件，涉及半导体技术领域，以限制栅堆叠结构的长度，且简化环栅晶体管的制造过程。该环栅晶体管包括：半导体基底、纳米结构、栅堆叠结构和栅长控制结构。至少一层纳米结构形成在半导体基底上。沿纳米结构长度方...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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