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本发明提供一种芯片检测方法，包括如下步骤：获取半导体的外延晶圆的光电特性的分布状况；检查外延晶圆的外观，并标记出缺陷区域，生成外延晶圆的外观数据；在外延晶圆上完成芯片的制作；获取抽测的芯片的光电性数据；检查芯片的外观，并标记出缺陷区域，生成...
该专利属于华引芯（张家港）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华引芯（张家港）半导体有限公司授权不得商用。

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