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本实用新型属于电子电力器件技术领域，更具体地，涉及一种超低寄生电感SiC半桥功率模块，两只SiC MOSFET芯片分别为芯片一和芯片二，两片芯片平行且上下竖直设置，两片所述芯片之间通过缓冲层连接，所述DBC板包括上DBC板和下DBC板，所述...
该专利属于常州瑞华新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州瑞华新能源科技有限公司授权不得商用。

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