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本公开涉及一种光电二极管器件(1)，所述光电二极管器件(1)克服了传统器件的缺点，如增加的暗电流。所述光电二极管器件(1)包括半导体衬底(2)、在衬底(2)的主表面(3)处的第一导电类型的至少一个掺杂阱(6)，以及与所述掺杂阱(6)相邻的第...
该专利属于AMS-欧司朗有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过AMS-欧司朗有限公司授权不得商用。

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