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本发明涉及一种使用厚膜膏填塞电子器件中的孔的方法。孔可预先前存在于包括厚膜材料的基板中或在包覆基板的光致抗蚀剂层中被制造。本发明具体有用于电子场发射三极管阵列的制造，在其中孔具有细微尺寸（直径＜１００μｍ），以及可包含碳纳米管的电子发射器厚...
该专利属于纳幕尔杜邦公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳幕尔杜邦公司授权不得商用。

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