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本申请实施例提供一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，沟槽栅半导体器件包括：第一衬底层、第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电构件、第二导电构件、源极电极；还包括两个第三掺杂区，形成在所述第一衬底层上且对应位于第二导电构件的下方，所述第三掺杂区的掺杂...
该专利属于无锡先瞳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡先瞳半导体科技有限公司授权不得商用。

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