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本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其是指一种IGBT过电压脉冲保护电路，其包括雪崩二极管Dav1、雪崩二极管Dav2、多晶硅齐纳二极管ZD1、多晶硅齐纳二极管ZD2、稳压二极管D1、稳压二极管D2、电容C1、电容Cs1、电容Cs2、电阻R1...
该专利属于广东科技学院所有，仅供学习研究参考，未经过广东科技学院授权不得商用。

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