一种IGBT过电压脉冲保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子电路技术领域，尤其是指一种IGBT过电压脉冲保护电路，其包括雪崩二极管Dav1、雪崩二极管Dav2、多晶硅齐纳二极管ZD1、多晶硅齐纳二极管ZD2、稳压二极管D1、稳压二极管D2、电容C1、电容Cs1、电容Cs2、电阻R1、电阻R2、IGBT模块VT1和IGBT模块VT2。本实用新型专利技术的电路性能可靠实用，成本低廉，响应速度快，特别适合于中、高频率的变流器IGBT过电压保护系统中。其优越性不仅在于成本低廉和简单的结构组成上，更重要的是，抑制了IGBT动作时在其两端产生的过电压脉冲和防止了因电阻耗能产生的热量，有效地保护了IGBT和变流器，使整个变流器系统稳定可靠的运行。流器系统稳定可靠的运行。流器系统稳定可靠的运行。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT过电压脉冲保护电路


[0001]本技术涉及电子电路
，尤其是指一种IGBT过电压脉冲保护电路。

技术介绍

[0002]IGBT在众多电子元器件中，属于比较昂贵的元器件，并且它在工作中，对工作电压的大小和稳定性及其敏感，必须工作在适当的电压范围内，否则就会造成IGBT击穿损坏。随着风电的大力发展，电力电子器件得到广泛的运用。但是在变流器工作时会因IGBT关断产生过电压脉冲，会造成IGBT损坏，因此，亟需一种能够有效快速的抑制过电压脉冲的电路。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术的问题提供一种IGBT过电压脉冲保护电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：
[0005]本技术提供了一种IGBT过电压脉冲保护电路，包括雪崩二极管Dav1、雪崩二极管Dav2、多晶硅齐纳二极管ZD1、多晶硅齐纳二极管ZD2、稳压二极管D1、稳压二极管D2、电容C1、电容Cs1、电容Cs2、电阻R1、电阻R2、IGBT模块VT1和IGBT模块VT2；所述稳压二极管D1的阴极与电容Cs1串联后，再与IGBT模块VT1并联，稳压二极管D1和电容Cs1之间连接于电阻R2的一端，电阻R2的另一端与电源Udc的负极相接，所述稳压二极管D1的阳极与电源Udc的正极相连接，雪崩二极管Dav1与多晶硅齐纳二极管ZD1串联，雪崩二极管Dav1的负极与IGBT模块VT1的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD1的负极与IGBT模块VT1的栅极连接；
[0006]所述稳压二极管D2和电容Cs2串联再与IGBT模块VT2并联，电阻R1的一端和电源Udc的正极相连，电阻R1的另一端连接于稳压二极管D2与电容Cs1之间，雪崩二极管Dav2与多晶硅齐纳二极管ZD2串联，雪崩二极管Dav2的负极与IGBT模块VT2的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD2的负极与IGBT模块VT2的栅极连接；所述电容C1的一端与稳压二极管D1的正极相连，所述电容C1的另一端与电源Udc的负极相接。
[0007]其中，所述稳压二极管D1的阳极与电源Udc的正极之间连接有电感Ls。
[0008]其中，还包括雪崩二极管Dav3、雪崩二极管Dav4、多晶硅齐纳二极管ZD3、多晶硅齐纳二极管ZD4、稳压二极管D3、稳压二极管D4、电容C2、电容Cs3、电容Cs4、电阻R3、电阻R4、IGBT模块VT3和IGBT模块VT4；
[0009]所述稳压二极管D3与电容Cs3串联后再与IGBT模块VT3并联，电阻R3的一端和电源Udc的正极相连，电阻R3的另一端连接于稳压二极管D4和电容Cs4之间，雪崩二极管Dav3与多晶硅齐纳二极管ZD3串联，雪崩二极管Dav3的负极与IGBT模块VT3的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD3的负极与IGBT模块VT3的栅极连接；
[0010]所述稳压二极管D4和电容Cs4串联后再与IGBT模块VT4并联，电阻R4的一端与电源Udc的负极相连，电阻R4的另一端连接于稳压二极管D3和电容Cs3之间，雪崩二极管Dav4和多晶硅齐纳二极管ZD4串联，雪崩二极管Dav4的负极与IGBT模块VT4的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD4的负极与VT4的栅极连接；
[0011]所述电容C2的一端与稳压二极管D3的正极相连，所述电容C2的另一端与电源Udc的负极相连。
[0012]本技术的有益效果：
[0013]本技术的电路性能可靠实用，成本低廉，响应速度快，特别适合于中、高频率的变流器IGBT过电压保护系统中。其优越性不仅在于成本低廉和简单的结构组成上，更重要的是，抑制了IGBT动作时在其两端产生的过电压脉冲和防止了因电阻耗能产生的热量，有效地保护了IGBT和变流器，使整个变流器系统稳定可靠的运行。
附图说明
[0014]图1为本技术的一种IGBT过电压脉冲保护电路的电路图。
[0015]图2为本技术的电感Ls与电容Cs谐振放能过程的电路图。
[0016]图3为本技术的IGBT模块VT1和IGBT模块VT2完全截止时的过电压等效电路的电路图。
[0017]图4为本技术的电容Cs的放电过程电路图。
具体实施方式
[0018]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。以下结合附图对本技术进行详细的描述。
[0019]一种IGBT过电压脉冲保护电路，如图1所示，包括雪崩二极管Dav1、雪崩二极管Dav2、多晶硅齐纳二极管ZD1、多晶硅齐纳二极管ZD2、稳压二极管D1、稳压二极管D2、电容C1、电容Cs1、电容Cs2、电阻R1、电阻R2、IGBT模块VT1和IGBT模块VT2；
[0020]所述稳压二极管D1的阴极与电容Cs1串联后，再与IGBT模块VT1并联，稳压二极管D1和电容Cs1之间连接于电阻R2的一端，电阻R2的另一端与电源Udc的负极相接，所述稳压二极管D1的阳极与电源Udc的正极相连接，雪崩二极管Dav1与多晶硅齐纳二极管ZD1串联，雪崩二极管Dav1的负极与IGBT模块VT1的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD1的负极与IGBT模块VT1的栅极连接；
[0021]所述稳压二极管D2和电容Cs2串联再与IGBT模块VT2并联，电阻R1的一端和电源Udc的正极相连，电阻R1的另一端连接于稳压二极管D2与电容Cs1之间，雪崩二极管Dav2与多晶硅齐纳二极管ZD2串联，雪崩二极管Dav2的负极与IGBT模块VT2的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD2的负极与IGBT模块VT2的栅极连接；所述电容C1的一端与稳压二极管D1的正极相连，所述电容C1的另一端与电源Udc的负极相接。
[0022]其中，所述稳压二极管D1的阳极与电源Udc的正极之间连接有电感Ls。
[0023]其中，还包括雪崩二极管Dav3、雪崩二极管Dav4、多晶硅齐纳二极管ZD3、多晶硅齐纳二极管ZD4、稳压二极管D3、稳压二极管D4、电容C2、电容Cs3、电容Cs4、电阻R3、电阻R4、IGBT模块VT3和IGBT模块VT4；
[0024]所述稳压二极管D3与电容Cs3串联后再与IGBT模块VT3并联，电阻R3的一端和电源Udc的正极相连，电阻R3的另一端连接于稳压二极管D4和电容Cs4之间，雪崩二极管Dav3与多晶硅齐纳二极管ZD3串联，雪崩二极管Dav3的负极与IGBT模块VT3的发射极相连，多晶硅
齐纳二极管ZD3的负极与IGBT模块VT3的栅极连接；
[0025]所述稳压二极管D4和电容Cs4串联后再与IGBT模块VT4并联，电阻R4的一端与电源Udc的负极相连，电阻R4的另一端连接于稳压二极管D3和电容Cs3之间，雪崩二极管Dav4和多晶硅齐纳二极管ZD4串联，雪崩二极管Dav4的负极与IGBT模块VT4的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD4的负极与VT4的栅极连接；
[0026本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT过电压脉冲保护电路，其特征在于：包括雪崩二极管Dav1、雪崩二极管Dav2、多晶硅齐纳二极管ZD1、多晶硅齐纳二极管ZD2、稳压二极管D1、稳压二极管D2、电容C1、电容Cs1、电容Cs2、电阻R1、电阻R2、IGBT模块VT1和IGBT模块VT2；所述稳压二极管D1的阴极与电容Cs1串联后，再与IGBT模块VT1并联，稳压二极管D1和电容Cs1之间连接于电阻R2的一端，电阻R2的另一端与电源Udc的负极相接，所述稳压二极管D1的阳极与电源Udc的正极相连接，雪崩二极管Dav1与多晶硅齐纳二极管ZD1串联，雪崩二极管Dav1的负极与IGBT模块VT1的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD1的负极与IGBT模块VT1的栅极连接；所述稳压二极管D2和电容Cs2串联再与IGBT模块VT2并联，电阻R1的一端和电源Udc的正极相连，电阻R1的另一端连接于稳压二极管D2与电容Cs1之间，雪崩二极管Dav2与多晶硅齐纳二极管ZD2串联，雪崩二极管Dav2的负极与IGBT模块VT2的发射极相连，多晶硅齐纳二极管ZD2的负极与IGBT模块VT2的栅极连接；所述电容C1的一端与稳压二极管D1的正极相连，所述电容C1的另一端与电源Udc的负极相接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT过电压脉冲保...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝林钊，刘霞，严其艳，刘超，
申请(专利权)人：广东科技学院，
类型：新型
国别省市：