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本发明公开了一种GaN基HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，还包括源极、栅极、漏极和GaN帽层，源极、栅极和漏极中至少有一个设置有场板。本发...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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