温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法。其芯片包含基底、贯穿基底的流孔、绝缘层、第一阳极、第一阴极、第二阳极、第二阴极。其中，绝缘层均匀分布在基底表面和流孔内壁上。第一阳极和第一阴极间隔分布在上表面绝缘层...
该专利属于中国科学院空天信息创新研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院空天信息创新研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。