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本实用新型涉及一种FinFET工艺中监控Fin残留的电学检测结构，包括基底和至少一个检测单元，所述检测单元设置于基底上；所述检测单元包括若干待测Fin、若干栅极和第一连接结构。通过将多个检测单元设置在基底上，可以实现多个样本的同时检测，降低...
该专利属于杭州广立微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州广立微电子股份有限公司授权不得商用。

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