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本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的ＣＶＤ法在基板（Ｓ）的表面形成氧化膜的装置，具备供给由ＴＭＯＳ、ＭＴＭＯＳ等含硅气体构成的原料气体（Ａ）、由Ｏ↓［２］、Ｎ↓［２］Ｏ等氧化性气体构成的反应气体（Ｂ）这样的２成分工艺气体的工艺气体供给...
该专利属于积水化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过积水化学工业株式会社授权不得商用。

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