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本发明提供一种利用含有碳和卤素原子的气体进行蚀刻时，能够提高蚀刻处理在基板面内的均匀性的蚀刻方法。该方法从气体供给部（４）向晶片（Ｗ）供给含有１分子中碳原子数为２以下的碳和氟的第一气体的处理气体进行蚀刻时，以第一气体室（４５）的供给量多于第...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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