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本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，还包括第一钝化层、第二钝化层、阴极金属电极、第一阳极金属场板、第三钝化层、第二阳极金...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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