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本公开涉及包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构。一种集成电路(IC)结构包括位于体半导体衬底上方的有源器件，以及体半导体衬底中的围绕有源器件的隔离结构。有源器件包括具有中心区、通过第一沟槽隔离与中心区横向间隔开的第...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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