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本发明提供了一种广义菊属杂交后代茎尖染色体的压片方法，包括以下步骤：将广义菊属杂交后代茎尖剪下后放入到冰水共存条件中处理24h；配制固定溶液，在4℃环境中固定24h；清洗干净固定后的茎尖，将其放入HCI溶液中水浴解离；清洗茎尖，切取茎尖生长...该专利属于上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司授权不得商用。