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本发明提供一种等离子体处理装置，在对四边形基板进行等离子体处理的平行平板型等离子体处理装置中，能够进行上部电极的温度控制性良好且稳定的处理。该等离子体处理装置包括：具有用于向基板供给上述处理气体的多个气体供给孔，与上述下部电极相对设置的板状...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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