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本发明提供磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器。MR元件包括第一磁性层、第二磁性层、和配置在第一磁性层与第二磁性层之间的非磁性层。第一磁性层的形状磁各向异性被设定在第一基准方向，且第一磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部...
该专利属于TDK株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过TDK株式会社授权不得商用。

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