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本公开提供一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：形成第一芯片，第一芯片包括第一键合层，第一键合层包括第一键合垫；形成第二芯片，第二芯片包括第二键合层，第二键合层包括第二键合垫；形成第三键合层，第三键合层包括第三键合垫；...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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