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本发明公开了欧姆接触结构及其制作方法、碳化硅器件及制作方法，通过使用功函数不同的两种金属作为欧姆接触材料分别在不同导电类型的掺杂区上形成不同的欧姆接触，同时有效降低P型和N型的比接触电阻，从而提高了器件的防电压电流突变造成器件反向击穿的能力...
该专利属于中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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