温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，通过对衬底上的外延层执行光刻，形成DE边与mesa边齐平的mesa/DE沟槽，执行第一次ISO光刻，将外延层表面沉积的SiO2绝缘层图形化后沉积透明导电薄膜层，执行第二次ISO光刻，将透明导电薄...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。