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提供了一种用于在一起使用深紫外(DUV)设备和极紫外(EUV)设备的环境中准确地测量并校正套刻误差的套刻误差测量方法、一种使用所述套刻误差测量方法的半导体器件制造方法和一种套刻误差测量设备。所述套刻误差测量方法包括基于固定位置执行多个层中的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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