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本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供第一预备基底和第二基底，第一预备基底包括第一衬底以及位于第一衬底中的凹槽；在凹槽的裸露表面上至少依次形成第一绝缘层、富陷阱层以及第二绝缘层，得到第一基底；以凹槽两侧的第一衬...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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