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本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型半导体层、量子阱有源层、电子阻挡层以及P型半导体层；其中，深紫外发光二极管还包括应力释放层，应力释放层设置于N型半导体层与量子阱有源层...
该专利属于苏州紫灿科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州紫灿科技有限公司授权不得商用。

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