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本发明实施例公开了一种氮化镓基病毒自检自杀器件的制备方法，包括：在单晶衬底上生长GaN薄膜，在GaN薄膜上生长AlN缓冲层，以及在AlN缓冲层上生长AlGaN；制作阻挡层，在Cl2/BCl3气氛下，在器件表面的漏极进行刻蚀，去除光刻胶，并在...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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