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本申请提供一种半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、设置于所述半导体衬底上的漂移层、设置于所述漂移层内的沟槽结构、栅极、层间介质层、源极以及漏极。漂移层包括依次在半导体衬底上叠层设置的第一N型半导体区、第二P型半...
该专利属于华为数字能源技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为数字能源技术有限公司授权不得商用。

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