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本发明涉及碳化硅异质外延功率集成电路工艺方法，包括：将碳化硅高压LDMOS和硅低压CMOS集成在同一片碳化硅衬底之上。该工艺方法得到的器件结构中，高压LDMOS和低压CMOS由隔离槽进行隔离，高压LDMOS结构于碳化硅N
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该专利属于浙大城市学院所有，仅供学习研究参考，未经过浙大城市学院授权不得商用。

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