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本发明提供成膜方法和成膜装置。提供一种能够在形成了氮氧化硅膜后控制氮氧化硅膜的膜中氮浓度的技术。本发明的一形态的成膜方法具有以下工序：(a)在基板上形成含有硅(Si)、氧(O)以及氮(N)的膜；以及(b)将形成有所述膜的所述基板暴露于由含有...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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