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常关型高电子迁移率晶体管的制造方法技术
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文档序号:37140385
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本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法,包括:在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层;衬底背面通过再生长硅单晶层;在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在...
该专利属于北京大学东莞光电研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学东莞光电研究院授权不得商用。
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