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提供一种能够增大单元密度并且能够减小导通电阻的沟槽栅型的绝缘栅型半导体装置。具备：第一导电型的载体输送层(1、3)；第二导电型的注入控制区(4)，其设置于载体输送层(1、3)的上表面；第一导电型的载体供给区(5)，其设置于注入控制区(4)的...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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