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本发明提供一种半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置，本申请的外延结构至少包括依次叠置的N型层、V坑开启层、发光层以及P型层，其中所述发光层为交替堆叠的阱层和势垒层，所述阱层的带隙能量低于所述势垒层的带隙能量；其中，V坑开启层包...
该专利属于泉州三安半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泉州三安半导体科技有限公司授权不得商用。

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