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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和隔离区，隔离区内具有改性层；对衬底进行图形化处理，形成基底、位于基底上的若干器件鳍部和若干改性鳍部；在基底上形成第一隔离材料层，第一隔离材料层覆盖器件鳍部且暴露出改性鳍...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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