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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：位于所述初始栅极结构侧壁和所述第一介电层之间还具有第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述初始栅介质层侧壁和所述第二侧墙之间；在所述第一介电层内形成第一导电结构，所述第一导电结构位于所述栅极结构两侧...
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