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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：于衬底层上设置介质层；于所述介质层形成多个凹槽；于凹槽内设置成核层，成核层和介质层形成复合层；于复合层上生长金刚石层；去除衬底层，以显露出复合层；于复合层的表面设置三五族化合物层。本发明通...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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