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本发明公开了一种沟槽栅超结IGBT器件，器件单元结构包括：P型掺杂的体区形成于N型柱和P型柱的表面区域中。沟槽栅位于N型柱的顶部区域中且穿过体区。在沟槽栅侧面的体区的表面形成有发射区。发射区顶部的第一接触孔连接到由正面金属层组成的发射极。在...
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