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本申请公开了带缓冲漏极的晶体管器件。半导体器件包括源极区域(756)。漏极区域(746)与源极区域(756)间隔开具有第一导电类型和第二掺杂剂浓度。第一漂移区域(741)位于源极区域(756)和漏极区域(746)之间，并且具有第一导电类型和...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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