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一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：刻蚀所述初始沟道层侧壁以形成沟道层，在相邻两层牺牲层之间形成凹槽，所述凹槽暴露出的沟道层侧壁相对于所述牺牲层侧壁凹陷；在所述开口以及所述凹槽内形成介电墙；形成所述介电墙后，在所述衬底上形成层间介质层和...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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