下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号:37103710

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体的结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,衬底包括器件区和位于相邻器件区之间的隔离区,器件区的衬底上形成有凸立的鳍部,鳍部露出的衬底上形成有隔离层;在隔离区中,形成贯穿隔离层的第一开口和位于衬底中的凹槽,凹槽的侧壁相对于同侧的第一开...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。