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本发明公开了一种DUV光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，...
该专利属于上海芯刻微材料技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯刻微材料技术有限责任公司授权不得商用。

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