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本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括：基板，所述基板具有第一顶面；第一铜层，所述第一铜层连接于所述第一顶面上，所述第一铜层上设置有隔离通孔；两个芯片单元，两个所述芯片单元并排设置于所述第一铜层上，所述隔离通孔位于两个所述芯片单元之间。本...
该专利属于佛山市国星光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星光电股份有限公司授权不得商用。

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