一种功率半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率半导体器件，包括：基板，所述基板具有第一顶面；第一铜层，所述第一铜层连接于所述第一顶面上，所述第一铜层上设置有隔离通孔；两个芯片单元，两个所述芯片单元并排设置于所述第一铜层上，所述隔离通孔位于两个所述芯片单元之间。本申请的功率半导体，其在并排设置的芯片之间设置有隔离通孔，从间隔的角度降低了每个芯片的热耦合，从而降低了芯片的结温温度。而降低了芯片的结温温度。而降低了芯片的结温温度。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种功率半导体器件。

技术介绍

[0002]为得到高功率输出，大功率半导体器件的应用逐渐取代单芯片器件。但相对于单芯片器件来说，大功率半导体器件的导热层要传导比单芯片高出几倍甚至几十倍的热功率，导致其具有结温高的问题。大功率半导体器件中结温分布较为复杂，每个芯片的温升一部分是自己产生的，另一部分则是由与相邻其他芯片之间的热耦合产生的。高的结温导致加速大功率半导体器件的失效，降低其寿命。

技术实现思路

[0003]基于此，本技术的目的在于，提供一种功率半导体器件，其在并排设置的芯片之间设置有隔离通孔，从间隔的角度降低了每个芯片的热耦合，从而降低了每个芯片的结温温度。
[0004]本技术提供的一种功率半导体器件，包括：
[0005]基板，所述基板具有第一顶面；
[0006]第一铜层，所述第一铜层连接于所述第一顶面上，所述第一铜层上设置有隔离通孔；
[0007]两个芯片单元，两个所述芯片单元并排设置于所述第一铜层上，所述隔离通孔位于两个所述芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：基板，所述基板具有第一顶面；第一铜层，所述第一铜层连接于所述第一顶面上，所述第一铜层上设置有隔离通孔；两个芯片单元，两个所述芯片单元并排设置于所述第一铜层上，所述隔离通孔位于两个所述芯片单元之间。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：两个所述芯片单元沿着所述基板的长度方向并排设置于所述第一铜层上。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：所述芯片单元的长度方向与所述基板的宽度方向相同，且所述隔离通孔的长度小于所述芯片单元的长度。4.根据权利要求3所述功率半导体器件，其特征在于：所述芯片单元具有第二顶面，所述第二顶面上设置有所述芯片单元的源极，所述源极的长度方向与所述芯片单元的长度方向相同，且所述隔离通孔的长度不大于所述源极的长度。5.根据权利要求1
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4任一项所述的功率半导体器件，其特征在于：所述隔离通孔与两个所述芯片单元之间的距离相等。6.根据权利要求1
‑
4任一项所述的功率半导体器件，其特征在于：所述隔离通...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢健兴，成年斌，詹洪桂，袁海龙，蒙求恩，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：