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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，鳍片垂直于衬底的上表面，阻变结构位于鳍片的侧壁，由底电极的垂直部分、阻变层的垂直部分和顶电极的垂直部分组成，阻变区域即为底电极的垂直部分和顶电极的垂直部分重合的区域。该阻变区域的大小是按照垂直方向阻变...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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