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在一个实施例中，基底管芯设备包括共形功率输送结构，所述共形功率输送结构包括限定一个或多个凹陷的第一电传导层以及至少部分在第一电传导层的凹陷内并且具有与第一电传导层的上表面大致共形的下表面的第二电传导层。所述共形功率输送结构还包括在第一电传导...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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